Ingenieurwissenschaften Elektrotechnik – Transistoren und Verstärker
Transistoren sind die Bausteine fast aller elektronischen Schaltungen. Nach dem Lernen dieser Karten kennst du die physikalische Funktionsweise von BJT und MOSFET, kannst Betriebspunkte berechnen, Kennlinien interpretieren und die gängigen Verstärker-Grundschaltungen dimensionieren.
Lernziele
Was du in dieser Lektion lernst
- Welche drei Anschlüsse hat ein bipolartransistor (BJT) und wie heißen die zugehörigen Ströme?
- Was versteht man unter dem Stromverstärkungsfaktor B (beta) im Durchlassbetrieb?
- Welche Bedingung muss für den Durchlassbetrieb eines npn-BJT erfüllt sein?
- Wie unterscheiden sich MOSFET und BJT in ihrer Steuerung?
Lerntipp
Zeichne die Ersatzschaltbilder (T-Modell, π-Modell) für jeden Transistortyp mindestens einmal selbst – das Verständnis der Kleinsignalparameter fällt dann viel leichter.
Hinweis: Der Inhalt dieser Seite wurde mit einem KI-Modell erzeugt und nicht von Fachmenschen geprüft. Nutze die Karten als Lernhilfe und gleiche medizinische oder rechtliche Aussagen mit deinen Unterlagen ab.
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Häufige Fragen
Die wichtigsten Fragen zu Ingenieurwissenschaften Elektrotechnik – Transistoren und Verstärker
- Welche drei Anschlüsse hat ein bipolartransistor (BJT) und wie heißen die zugehörigen Ströme?
- Emitter (I_E), Basis (I_B), Kollektor (I_C). Der Emitterstrom ist die Summe aus Basis- und Kollektorstrom: I_E = I_B + I_C.
- Was versteht man unter dem Stromverstärkungsfaktor B (beta) im Durchlassbetrieb?
- B = I_C / I_B im aktiven Bereich. Er gibt an, wie stark der Basisstrom im Kollektorstrom verstärkt wird – typische Werte liegen zwischen 50 und 300.
- Welche Bedingung muss für den Durchlassbetrieb eines npn-BJT erfüllt sein?
- Basis-Emitter-Strecke in Vorwärtsrichtung (U_BE > ca. 0,7 V), Basis-Kollektor-Strecke in Sperrrichtung (U_BC < 0).
- Wie unterscheiden sich MOSFET und BJT in ihrer Steuerung?
- BJT ist stromgesteuert (Basisstrom steuert Kollektorstrom), MOSFET ist spannungsgesteuert (Gate-Source-Spannung steuert Drainstrom). Das Gate eines MOSFET zieht nahezu keinen Strom.
- Was kennzeichnet den pinch-off-Zustand bei einem n-Kanal-MOSFET?
- Bei U_DS > U_GS - U_th verengt sich der Kanal am Drain-Ende bis zur Abriegelung. Der Drainstrom sättigt sich und wird fast unabhängig von U_DS (Sättigungsbetrieb).
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